FJP3305H1TU
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
380 руб.
от 50 шт. —
270 руб.
от 100 шт. —
207 руб.
от 500 шт. —
163.52 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 380 руб.
Описание
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Технические параметры
| Maximum Collector Base Voltage | 700 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 400 V |
| Maximum DC Collector Current | 4 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 9 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 75 W |
| Minimum DC Current Gain | 19, 26 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
