STP7NK40Z, Транзистор полевой N-канальный 400В 5.4А 70Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
655 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
56 руб.
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 50 шт. —
45 руб.
от 100 шт. —
41 руб.
от 200 шт. —
39 руб.
Добавить в корзину 9 шт.
на сумму 504 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 400В 5.4А 70Вт
Технические параметры
| Корпус | to-220 | |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.4 A | |
| Pd - рассеивание мощности | 70 W | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 Ohms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V | |
| Вид монтажа | Through Hole | |
| Время нарастания | 15 ns | |
| Время спада | 12 ns | |
| Высота | 9.15 mm | |
| Длина | 10.4 mm | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Коммерческое обозначение | SuperMESH | |
| Конфигурация | Single | |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.5 S | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Размер фабричной упаковки | 1000 | |
| Серия | STP7NK40Z | |
| Технология | Si | |
| Тип | MOSFET | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 N-Channel | |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns | |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns | |
| Торговая марка | STMicroelectronics | |
| Упаковка / блок | TO-220-3 | |
| Ширина | 4.6 mm | |
| Base Product Number | STP7NK40 -> | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5.4A (Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ECCN | EAR99 | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 535pF @ 25V | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
| Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL | |
| Package | Tube | |
| Package / Case | TO-220-3 | |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 2.7A, 10V | |
| REACH Status | REACH Unaffected | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Series | SuperMESHв„ў -> | |
| Supplier Device Package | TO-220AB | |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±30V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50ВµA | |
| Automotive | No | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Configuration | Single | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| EU RoHS | Compliant with Exemption | |
| Lead Shape | Through Hole | |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 5.4 | |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1000 10V | |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 400 | |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 70000 | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
| Mounting | Through Hole | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Packaging | Tube | |
| Part Status | Active | |
| PCB changed | 3 | |
| Pin Count | 3 | |
| PPAP | No | |
| Process Technology | SuperMESH | |
| Product Category | Power MOSFET | |
| Standard Package Name | TO-220 | |
| Supplier Package | TO-220AB | |
| Tab | Tab | |
| Typical Fall Time (ns) | 12 | |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 19 | |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 19 10V | |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 535 25V | |
| Typical Rise Time (ns) | 15 | |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30 | |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 15 | |
| Brand | STMicroelectronics | |
| Factory Pack Quantity | 1000 | |
| Fall Time | 12 ns | |
| Forward Transconductance - Min | 3.5 S | |
| Height | 9.15 mm | |
| Id - Continuous Drain Current | 5.4 A | |
| Length | 10.4 mm | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | Through Hole | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 70 W | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1 Ohms | |
| Rise Time | 15 ns | |
| RoHS | Details | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Type | MOSFET | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 30 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 15 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 400 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V | |
| Width | 4.6 mm | |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
