STB35NF10T4

PartNumber: STB35NF10T4
Ном. номер: 8150932862
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STB35NF10T4
Фото 2/2 STB35NF10T4
Доступно на заказ более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
100 руб. × = 300 руб.
Минимальное количество для заказа 3 шт.
от 20 шт. — 47 руб.

Описание

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: D2PAK, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 40 А

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Размеры
10.75 x 10.4 x 4.6мм
Максимальный непрерывный ток стока
40 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.035 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
100 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
115 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
D2PAK
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
55 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1550 пФ при 25 В
Ширина
10.4mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
4.6mm
Длина
10.75mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

N-channel 100V - 0.030 Ohm - 40A - D2PAK LOW GATE CHARGE StripFET(TM) POWER MOSFET