IRF9Z34SPBF

PartNumber: IRF9Z34SPBF
Ном. номер: 8154500060
Производитель: Vishay
IRF9Z34SPBF
Доступно на заказ более 60 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 рабочих дней.
78 руб. × = 312 руб.
Минимальное количество для заказа 4 шт.
от 10 шт. — 51 руб.
от 50 шт. — 26.35 руб.
Есть аналоги

Описание

P-Channel MOSFET, over 10A, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: D2PAK/TO263, инфо: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
конфигурация
Single
размеры
10.67 x 9.65 x 4.83mm
высота
4.83mm
длина
10.67mm
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Maximum Drain Source Resistance
0.14 Ω
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
3.7 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
D2PAK
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
1100 pF@ 25 V
Typical Turn-Off Delay Time
20 ns
Typical Turn-On Delay Time
18 ns
ширина
9.65mm
Minimum Gate Threshold Voltage
2V

Дополнительная информация

IRF9Z34SPbF Data Sheet IRF9Z34SPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов