FQPF12N60C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 430 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 430 руб.
Описание
Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail - Rail/Tube (Alt: FQPF12N60C)
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Fall Time | 90 ns |
| Forward Transconductance - Min | 13 S |
| Height | 16.3 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 12 A |
| Length | 10.67 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part # Aliases | FQPF12N60C_NL |
| Pd - Power Dissipation | 51 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 650 mOhms |
| Rise Time | 85 ns |
| RoHS | Details |
| Series | FQPF12N60C |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 155 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 30 ns |
| Unit Weight | 0.080072 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 4.7 mm |
| Вес, г | 3.5 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
