MUN5211T1G, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 310мВт, SOT323

Фото 1/4 MUN5211T1G, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 310мВт, SOT323
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
10 руб.
Кратность заказа 25 шт.
Добавить в корзину 25 шт. на сумму 250 руб.
Номенклатурный номер: 8020242948
Артикул: MUN5211T1G

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 310мВт, SOT323 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Maximum Collector Base Voltage 50 V
Maximum Collector Emitter Voltage 50 V
Maximum DC Collector Current 100 mA
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 310 mW
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-323(SC-70)
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Automotive No
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.25@0.3mA@10mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 50
Maximum Continuous DC Collector Current (mA) 100
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 310
Minimum DC Current Gain 35@5mA@10V
Minimum DC Current Gain Range 30 to 50
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Operating Junction Temperature (°C) -55 to 150
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
PPAP No
Standard Package Name SOT
Supplier Package SC-70
Type NPN
Typical Input Resistor (kOhm) 10
Typical Resistor Ratio 1
Вес, г 0.072

Техническая документация

Datasheet
pdf, 434 КБ
Datasheet DTC114EM3T5G
pdf, 102 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов