FDN5618P, Транзистор полевой P-канальный 60В 1.25А 0.17 Ом, 0.5Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

37 руб.

Мин. кол-во для заказа 13 шт.

от 138 шт. — 30 руб.

от 275 шт. — 28 руб.

от 549 шт. — 25 руб.

Добавить в корзину 13 шт. на сумму 481 руб.

Альтернативные предложения1

Посмотреть аналоги4

Номенклатурный номер: 8166789585

Артикул: FDN5618P

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой P-канальный 60В 1.25А 0.17 Ом, 0.5Вт

Корпус	SOT-23(SuperSOT-3)
Brand	ON Semiconductor/Fairchild
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	3000
Fall Time	8 ns
Forward Transconductance - Min	4.3 S
Height	1.12 mm
Id - Continuous Drain Current	-1.2 A
Length	2.9 mm
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	SSOT-3
Packaging	Reel
Part # Aliases	FDN5618P_NL
Pd - Power Dissipation	500 mW(1/2 W)
Product	MOSFET Small Signal
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	170 mOhms
Rise Time	8 ns
RoHS	Details
Series	FDN5618P
Technology	Si
Tradename	PowerTrench
Transistor Polarity	P-Channel
Transistor Type	1 P-Channel
Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	16.5 ns
Typical Turn-On Delay Time	6.5 ns
Unit Weight	0.001058 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	-60 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Width	1.4 mm
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	1.25 A
Maximum Drain Source Resistance	170 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Power Dissipation	500 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	8.6 nC @ 10 V
Вес, г	0.02