BSH108,215, Транзистор полевой N-канальный 30В 1.9А 0.83Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2998 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней
25 руб.
Мин. кол-во для заказа 19 шт.
от 99 шт. —
19 руб.
от 198 шт. —
18 руб.
от 395 шт. —
16 руб.
Добавить в корзину 19 шт.
на сумму 475 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 30В 1.9А 0.83Вт
Технические параметры
| Корпус | sot-23 | |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C | |
| Максимальный непрерывный ток стока | 1.9 A | |
| Тип корпуса | SOT-23 (TO-236AB) | |
| Максимальное рассеяние мощности | 830 мВт | |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж | |
| Ширина | 1.4мм | |
| Высота | 1мм | |
| Размеры | 3 x 1.4 x 1мм | |
| Материал транзистора | SI | |
| Количество элементов на ИС | 1 | |
| Длина | 3мм | |
| Transistor Configuration | Одинарный | |
| Типичное время задержки включения | 3 нс | |
| Производитель | Nexperia | |
| Типичное время задержки выключения | 15 нс | |
| Минимальная рабочая температура | -65 °C | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 120 мОм | |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V | |
| Число контактов | 3 | |
| Категория | Мощный МОП-транзистор | |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 6.4 nC @ 10 V | |
| Номер канала | Поднятие | |
| Типичная входная емкость при Vds | 190 пФ при 10 В | |
| Тип канала | N | |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В | |
| Base Product Number | BSH108 -> | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.9A (Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
| ECCN | EAR99 | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V | |
| HTSUS | 8541.21.0095 | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 10V | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) | |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Power Dissipation (Max) | 830mW (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 1A, 10V | |
| REACH Status | REACH Unaffected | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Series | TrenchMOSв„ў -> | |
| Supplier Device Package | TO-236AB | |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 1.9A(Tsp) | |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 830mW(Tsp) | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 120mО© @ 1A,10V | |
| Transistor Polarity | N Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2V @ 1mA | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.9 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 120 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 830 mW | |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6.4 nC @ 10 V | |
| Width | 1.4mm | |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
