2N5551TA, Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, 0,625 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 руб.
Мин. кол-во для заказа 24 шт.
от 122 шт. —
16 руб.
от 243 шт. —
14 руб.
от 485 шт. —
13 руб.
Добавить в корзину 24 шт.
на сумму 480 руб.
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги5
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, 0,625 Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-92_formed_leads | |
| Pd - рассеивание мощности: | 625 mW | |
| Вид монтажа: | Through Hole | |
| Высота: | 4.7 mm | |
| Длина: | 4.7 mm | |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT | |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 80 | |
| Конфигурация: | Single | |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: | 250 | |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C | |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 0.6 A | |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C | |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 180 V | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 160 V | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 0.2 V | |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 6 V | |
| Непрерывный коллекторный ток: | 0.6 A | |
| Подкатегория: | Transistors | |
| Полярность транзистора: | NPN | |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 300 MHz | |
| Производитель: | ON Semiconductor | |
| Размер фабричной упаковки: | 2000 | |
| Серия: | 2N5551 | |
| Технология: | Si | |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors | |
| Торговая марка: | ON Semiconductor / Fairchild | |
| Упаковка / блок: | TO-92-3 Kinked Lead | |
| Упаковка: | Ammo Pack | |
| Ширина: | 3.93 mm | |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild | |
| Collector- Base Voltage VCBO | 180 V | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 160 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.2 V | |
| Configuration | Single | |
| Continuous Collector Current | 0.6 A | |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 80 | |
| DC Current Gain hFE Max | 250 | |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V | |
| Factory Pack Quantity | 2000 | |
| Gain Bandwidth Product fT | 300 MHz | |
| Height | 4.7 mm | |
| Length | 4.7 mm | |
| Manufacturer | ON Semiconductor | |
| Maximum DC Collector Current | 0.6 A | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | Through Hole | |
| Package / Case | TO-92-3 Kinked Lead | |
| Packaging | Ammo Pack | |
| Pd - Power Dissipation | 625 mW | |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT | |
| RoHS | Details | |
| Series | 2N5551 | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Unit Weight | 0.008466 oz | |
| Width | 3.93 mm | |
| Maximum Collector Base Voltage | 180 V | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 160 V | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V | |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz | |
| Maximum Power Dissipation | 625 mW | |
| Minimum DC Current Gain | 80 | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | TO-92 | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Type | NPN | |
| Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2N5551TA
pdf, 420 КБ
Datasheet 2N5551TF
pdf, 211 КБ
Документация
pdf, 407 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
