BC849CLT1G, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 руб.
Мин. кол-во для заказа 177 шт.
от 836 шт. —
1.70 руб.
от 1671 шт. —
1.60 руб.
Добавить в корзину 177 шт.
на сумму 531 руб.
Посмотреть аналоги8
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Технические параметры
| Корпус | sot-23 | |
| Collector Current (Ic) | 100mA | |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 30V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@5mA, 100mA | |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 420@2mA, 5V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW | |
| Transistor Type | NPN | |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 30 V | |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW | |
| Minimum DC Current Gain | 420 | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 108 КБ
Документация
pdf, 213 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
