Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STN4NF03L, Транзистор полевой N-канальный 30В ...

STN4NF03L, Транзистор полевой N-канальный 30В 4А 2.5Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

371 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней

43 руб.

Мин. кол-во для заказа 11 шт.

от 34 шт. — 37 руб.

от 67 шт. — 35 руб.

от 134 шт. — 33 руб.

Добавить в корзину 11 шт. на сумму 473 руб.

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8210575507

Артикул: STN4NF03L

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 30В 4А 2.5Вт

Технические параметры

Корпус	SOT-223
Id - непрерывный ток утечки	6.5 A
Pd - рассеивание мощности	3.3 W
Qg - заряд затвора	6.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	50 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	100 ns
Время спада	22 ns
Высота	1.8 mm
Длина	6.5 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	STripFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	3 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	4000
Серия	STN4NF03L
Средства разработки	STEVAL-ISA147V3
Технология	Si
Тип	MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel Power MOSFET
Типичное время задержки выключения	35 ns
Типичное время задержки при включении	11 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка / блок	SOT-223-4
Ширина	3.5 mm
кол-во в упаковке	4000
Brand	STMicroelectronics
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single Dual Drain
Factory Pack Quantity	4000
Fall Time	22 ns
Forward Transconductance - Min	6 S
Height	1.8 mm
Id - Continuous Drain Current	6.5 A
Length	6.5 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	SOT-223-3
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	3.3 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	50 mOhms
Rise Time	100 ns
RoHS	Details
Series	N-channel STripFET
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	35 ns
Typical Turn-On Delay Time	11 ns
Unit Weight	0.004395 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Vgs - Gate-Source Voltage	16 V
Width	3.5 mm
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	6.5 A
Maximum Drain Source Resistance	50 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Maximum Gate Source Voltage	-16 V, +16 V
Maximum Power Dissipation	3.3 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-223
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	6.5 nC @ 10 V
Automotive	No
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Lead Shape	Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)	6.5
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	50@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	30
Maximum Gate Source Voltage (V)	±16
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	3300
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Part Status	Active
PCB changed	3
PPAP	No
Process Technology	STripFET II
Standard Package Name	SOT
Supplier Package	SOT-223
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	22
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	6.5
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	6.5@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	330@25V
Typical Rise Time (ns)	100
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	35
Typical Turn-On Delay Time (ns)	11
Вес, г	0.85