MJD32CT4, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А, 15Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2486 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели

88 руб.

Мин. кол-во для заказа 6 шт.

от 30 шт. — 71 руб.

от 59 шт. — 66 руб.

от 118 шт. — 62 руб.

Добавить в корзину 6 шт. на сумму 528 руб.

Альтернативные предложения2

Посмотреть аналоги12

Номенклатурный номер: 8214969547

Артикул: MJD32CT4

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А, 15Вт

Корпус	DPAK/TO-252AA
Brand	STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO	100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	-1.2 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	3 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	20
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity	2500
Height	2.4 mm(Max)
Length	6.6 mm(Max)
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current	3 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	TO-252-3
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	15 W
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	MJD32
Transistor Polarity	PNP
Width	6.2 mm(Max)
Brand:	STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO:	100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.2 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	3 A
DC Collector/Base Gain hfe Min:	20
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current:	3 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	TO-252-3
Pd - Power Dissipation:	1.56 W
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	MJD32C
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	PNP
Вес, г	0.4