BSS209PWH6327, Транзистор полевой P-канальный 20В 0.63А 0.3Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
от 128 шт. —
15 руб.
от 255 шт. —
14 руб.
от 510 шт. —
12 руб.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 475 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой P-канальный 20В 0.63А 0.3Вт
Технические параметры
| Корпус | sot-323 | |
| Brand: | Infineon Technologies | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 | |
| Fall Time: | 4.6 ns | |
| Forward Transconductance - Min: | 0.87 S | |
| Id - Continuous Drain Current: | 630 mA | |
| Manufacturer: | Infineon | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package / Case: | SOT-323-3 | |
| Part # Aliases: | BSS29PWH6327XT SP000750498 BSS209PWH6327XTSA1 | |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 1 nC | |
| Qualification: | AEC-Q101 | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 550 mOhms | |
| Rise Time: | 7 ns | |
| Series: | BSS209 | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Transistor Polarity: | P-Channel | |
| Transistor Type: | 1 P-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 6 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.6 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V | |
| Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 250 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
