BU508AF

PartNumber: BU508AF
Ном. номер: 8234119418
Производитель: ST Microelectronics
BU508AF
Доступно на заказ более 20 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
170 руб. × = 340 руб.
Минимальное количество для заказа 2 шт.
от 10 шт. — 90 руб.
от 50 шт. — 66.77 руб.
Есть аналоги

Описание

GP BJT
Trans GP BJT NPN 700V 8A 3-Pin(3+Tab) ISOWATT218FX Tube

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Корпус: ISO218, инфо: Биполярный транзистор, NPN, 700 В, 8 А, 34 Вт

Технические параметры

EU RoHS
Compliant
Type
NPN
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Emitter Base Voltage (V)
9
Maximum Collector Emitter Voltage (V)
700
Maximum DC Collector Current (A)
8
Maximum Power Dissipation (mW)
50000
Minimum DC Current Gain
10@0.1A@5V|5@4.5A@5V
Product Category
Bipolar Power
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tube
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage (V)
1@1.6A@4.5A
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
1.1@2A@4.5A
Mounting
Through Hole
Package Height (mm)
16.5(Max)
Package Length (mm)
15.7(Max)
Package Width (mm)
5.7(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Standard Package Name
ISOWATT218
Supplier Package
ISOWATT218FX
Pin Count
3

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов