AOD609, Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 40 В, -12 А/12 А, 2.5 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
73 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 14 шт. —
63 руб.
от 27 шт. —
56 руб.
от 53 шт. —
53 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 511 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов
Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 40 В, -12 А/12 А, 2.5 Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-252-4L | |
| Automotive | Unknown | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N|P | |
| Configuration | Dual Common Drain | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| EU RoHS | Compliant | |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 12 | |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 30 10V N Channel|45 10V P Channel | |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 | |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 | |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 | |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 | |
| Maximum IDSS (uA) | 1 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 27000 N Channel|30000 P Channel | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
| Mounting | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Packaging | Tape and Reel | |
| Part Status | Active | |
| PCB changed | 4 | |
| Pin Count | 5 | |
| PPAP | Unknown | |
| Process Technology | TMOS | |
| Product Category | Power MOSFET | |
| Standard Package Name | TO-252 | |
| Supplier Package | DPAK | |
| Tab | Tab | |
| Typical Fall Time (ns) | 6.6 N Channel|41.2 P Channel | |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 16.2 P Channel|8.3 N Channel | |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8.3 10V N Channel|16.2 10V|7.2 4.5V P Channel | |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 516 20V N Channel|900 20V P Channel | |
| Typical Rise Time (ns) | 3.6 N Channel|8.4 P Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 16.2 N Channel|44.8 P Channel | |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6.4 N Channel|6.2 P Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 12 | |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 45@10V@P ChannelI30@10V@N Channel | |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 40 | |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 | |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 3 | |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 30000@P ChannelI27000@N Channel | |
| Military | No | |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 | |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 8.3@N ChannelI16.2@P Channel | |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 16.2@10VI7.2@4.5V@P ChannelI8.3@10V@N Channel | |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 516@20V@N ChannelI900@20V@P Channel | |
| Вес, г | 0.439 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
