STGW30NC60WD

PartNumber: STGW30NC60WD
Ном. номер: 8241965462
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STGW30NC60WD
Фото 2/2 STGW30NC60WD
Доступно на заказ 125 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
300 руб. × = 600 руб.
Минимальное количество для заказа 2 шт.
от 10 шт. — 170 руб.
от 30 шт. — 132.59 руб.
Есть аналоги

Описание

The STGW30NC60WD is a 600V Ultra Fast IGBT that utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behaviour. The IGBT is ideal for use in HF, SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies. Improved switch-off energy spread versus increasing temperature result in reduced switching losses.

• High frequency operation
• Lower CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
• Very soft ultra fast recovery anti-parallel diode
• Low VCE (sat) for reduced conduction losses
• Tight parameter distribution for design simplification and easy paralleling

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Корпус: TO-247, инфо: Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 200 Вт

Технические параметры

Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
15.75 x 5.15 x 20.15mm
высота
20.15mm
длина
15.75mm
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Continuous Collector Current
60 A
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
200 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
тип упаковки
TO-247
Pin Count
3
ширина
5.15mm

Дополнительная информация

Datasheet STGW30NC60WD
STGW30NC60WD, 30A, 600V Ultra Fast IGBT Data Sheet