FDS6675

PartNumber: FDS6675
Ном. номер: 8247077532
Производитель: ON Semiconductor
FDS6675
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
55 руб.
24 шт. со склада г.Москва,
срок 5 рабочих дней
Мин. кол-во для заказа 11 шт.
Показать альтерантивные предложения > > >
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
140 руб. 660 шт. 2-3 недели 10 шт. 10 шт.
от 50 шт. — 110 руб.
от 250 шт. — 82 руб.
161 руб. 36 шт. 3-4 недели 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 138 руб.
от 25 шт. — 129 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.<BR/>The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.<BR/>Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: 8-SOIC N, инфо: Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 11 А

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
11 А
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
32S
Высота
1.39мм
Размеры
5 x 4 x 1.39мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
12 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
50 ns
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
23 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
30 nC @ 5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
3000 пФ при -15 В
Тип канала
A, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.2V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.