FDS6675

PartNumber: FDS6675
Ном. номер: 8247077532
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDS6675
98 руб.
Доступно на заказ 128 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней
от 25 шт. — 59 руб.
от 50 шт. — 52 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
143 руб. 1528 шт. 3-4 недели 1 шт. 1 шт.
от 25 шт. — 115 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: 8-SOIC N, инфо: Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 11 А

Технические параметры

Количество элементов на ИС
1
Ширина
4mm
Максимальное рассеяние мощности
2.5 W
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Число контактов
8
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Типичное время задержки выключения
50 нс
Прямая активная межэлектродная проводимость
32
Прямое напряжение диода
1.2
Категория
Мощный МОП-транзистор с щелевой структурой
Типичная входная емкость при Vds
3000 pF @ -15 V
Конфигурация
Четырехканальный дренаж, одиночный затвор, тройной источник
Типичный заряд затвора при Vgs
30 nC @ -5 V
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип канала
P
Тип монтажа
Surface Mount
Типичное время задержки включения
12 ns
Номер канала
Enhancement
Размеры
5 x 4 x 1.39
Длина
5mm
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Тип корпуса
SOIC8
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.39mm
Максимальное сопротивление сток-исток
0.023 Ω

Дополнительная информация

FDS6675, Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

Способы получения товара в регионе Москва

Магазин «ЧИП и ДИП» 1 день бесплатно
Курьер 1 день 300 руб.*
Евросеть 2 – 4 дня 130 руб.*
PickPoint 2 дня 150 руб.*
ТК Деловые линии 1 день 500 руб.*
Почта России 3 – 4 дня 200 руб.*
Экспресс-почта Major-Express 2 дня 550 руб.*

* для посылок массой до 1 кг