FDN359AN

PartNumber: FDN359AN
Ном. номер: 8248783839
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 FDN359AN
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 FDN359AN
63 руб.
Есть в наличии 44 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва 3 дня
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
55 руб. 4215 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 51 руб.
от 100 шт. — 30 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The FDN359AN is a N-channel logic level MOSFET uses advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Suitable for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

• Very fast switching
• Low gate charge

Транзисторы полевые импортные

Технические параметры

Структура
N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
2.7
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
37
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
0.5
Крутизна характеристики S,А/В
9.5
Температура, С
-55...+150
Корпус
SSOT-3

Дополнительная информация

Datasheet FDN359AN

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.