FDN359AN

PartNumber: FDN359AN
Ном. номер: 8248783839
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 FDN359AN
Фото 2/3 FDN359ANФото 3/3 FDN359AN
64 руб.
Есть в наличии 44 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва 3 дня
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
86 руб. 200 шт. 2-3 недели 10 шт. 10 шт.
от 100 шт. — 31 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The FDN359AN is a N-channel logic level MOSFET uses advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Suitable for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

• Very fast switching
• Low gate charge

Транзисторы полевые импортные

Технические параметры

Структура
N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
2.7
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
37
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
0.5
Крутизна характеристики S,А/В
9.5
Температура, С
-55...+150
Корпус
SSOT-3

Дополнительная информация

Datasheet FDN359AN
FDN359AN, N-Channel Logic Level PowerTrench™ MOSFET

Способы получения товара в регионе Москва

Магазин «ЧИП и ДИП» 1 день бесплатно
Курьер 1 день 300 руб.*
Евросеть 2 – 4 дня 130 руб.*
PickPoint 2 дня 150 руб.*
ТК Деловые линии 1 день 500 руб.*
Почта России 3 – 4 дня 200 руб.*
Экспресс-почта Major-Express 2 дня 550 руб.*

* для посылок массой до 1 кг