MMBT489LT1G

PartNumber: MMBT489LT1G
Ном. номер: 8248802891
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 MMBT489LT1G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 MMBT489LT1G
14 руб.
375 шт. со склада г.Москва,
срок 5 рабочих дней
от 173 шт. — 8 руб.
от 345 шт. — 6.20 руб.
Мин. кол-во для заказа 46 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
42 руб. 8855 шт. 3-4 недели 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 28.90 руб.
от 25 шт. — 26 руб.
32 руб. 510 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 100 шт. — 14 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
GP BJT
Trans GP BJT NPN 30V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Корпус: SOT-23-3 (TO-236), инфо: Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 2 А

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,2 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,1 В
Длина
3.04мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В пост. тока
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 V
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
225 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
2.64мм
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Тип транзистора
NPN-NO/NC
Высота
1.11мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Размеры
3.04 x 2.64 x 1.11мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.