MMBT489LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 2 А

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

23 руб.

Мин. кол-во для заказа 21 шт.

от 40 шт. — 21 руб.

от 80 шт. — 18 руб.

от 159 шт. — 17 руб.

Добавить в корзину 21 шт. на сумму 483 руб.

Номенклатурный номер: 8248802891

Артикул: MMBT489LT1G

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 2 А

Корпус	sot-23
Brand	ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO	50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	30 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	0.2 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	1 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min	300
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity	3000
Gain Bandwidth Product FT	100 MHz
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current	1 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-23-3
Packaging	Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation	310 mW
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
Product Type	BJTs-Bipolar Transistors
Series	MMBT489
Subcategory	Transistors
Transistor Polarity	NPN
Вес, г	0.05

pdf, 85 КБ

Мы рекомендуем