STD35NF06LT4

PartNumber: STD35NF06LT4
Ном. номер: 8252981289
Производитель: ST Microelectronics
STD35NF06LT4
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
82 руб.
Доступно на заказ 179 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней
от 10 шт. — 70 руб.
от 20 шт. — 51 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
Добавить в корзину 6 шт. на сумму 492 руб.
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: D-Pak, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 35 А

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
35 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
80 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.2мм
Высота
2.4мм
Размеры
6.6 x 6.2 x 2.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Transistor Configuration
Одиночный
Типичное время задержки включения
20 ns
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
40 ns
Серия
STripFET II
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
17 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
25 nC @ 4.5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1700 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-15 В, +15 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.