STD35NF06LT4

PartNumber: STD35NF06LT4
Ном. номер: 8252981289
Производитель: ST Microelectronics
STD35NF06LT4
74 руб.
Доступно на заказ 330 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней
от 20 шт. — 47 руб.
от 40 шт. — 43 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
Добавить в корзину 6 шт. на сумму 444 руб.
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: D-Pak, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 35 А

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.6мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
20 нс
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
40 нс
Максимальный непрерывный ток стока
35 А
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
80 W
Серия
STripFET II
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
6.2мм
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Высота
2.4мм
Максимальное сопротивление сток-исток
17 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Размеры
6.6 x 6.2 x 2.4мм
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
25 nC @ 4.5 V
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1700 pF@ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-15 В, +15 В

Дополнительная информация

Datasheet STD35NF06LT4

Способы получения товара в регионе Москва

Магазин «ЧИП и ДИП» 1 день бесплатно
Курьер 1 день 300 руб.*
Евросеть 2 – 4 дня 130 руб.*
PickPoint 2 дня 150 руб.*
ТК Деловые линии 1 день 500 руб.*
Почта России 3 – 4 дня 200 руб.*
Экспресс-почта Major-Express 2 дня 550 руб.*

* для посылок массой до 1 кг