STU7NM60N

PartNumber: STU7NM60N
Ном. номер: 8253293937
Производитель: ST Microelectronics
STU7NM60N
60 руб.
Доступно на заказ 9 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
49.30 руб. 2850 шт. 3-4 недели 75 шт. 150 шт.
от 450 шт. — 48.90 руб.
от 900 шт. — 47.50 руб.
180 руб. 70 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 93 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: I-Pak, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 600В 5А 45Вт

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
размеры
6.6 x 2.4 x 6.9mm
высота
6.9mm
длина
6.6mm
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Resistance
0.9 Ω
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
45 W
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-251
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
363 pF@ 50 V
Typical Turn-Off Delay Time
26 ns
Typical Turn-On Delay Time
7 ns
ширина
2.4mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V

Дополнительная информация

N-channel 600 V, 5 A, 0.84 Ohm, DPAK second generation MDmesh(TM) Power MOSFET

Способы получения товара в регионе Москва

Магазин «ЧИП и ДИП» 1 день бесплатно
Курьер 1 день 300 руб.*
Евросеть 2 – 4 дня 130 руб.*
PickPoint 2 дня 150 руб.*
ТК Деловые линии 1 день 500 руб.*
Почта России 3 – 4 дня 200 руб.*
Экспресс-почта Major-Express 2 дня 550 руб.*

* для посылок массой до 1 кг