FDT458P

PartNumber: FDT458P
Ном. номер: 8261605185
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 FDT458P
Фото 2/2 FDT458P
34 руб.
Доступно на заказ 1662 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней
от 23 шт. — 28 руб.
от 46 шт. — 20 руб.
Мин. кол-во для заказа 13 шт.
Добавить в корзину 13 шт. на сумму 442 руб.

The FDT458P is a -30V P-channel PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.

• 100% Avalanche tested
• Enables highly efficiency in synchronous rectification

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: SOT-223-4, инфо: Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 3.4 А, 0.13 Ом

Технические параметры

Channel Type
P
длина
6.5mm
тип упаковки
SOT-223
Maximum Continuous Drain Current
3.4 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
размеры
6.5 x 3.56 x 1.6mm
Maximum Drain Source Resistance
0.13 Ω
максимальная рабочая температура
+150 °C
Channel Mode
Enhancement
высота
1.6mm
конфигурация
Dual Drain, Single
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
ширина
3.56mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Turn-On Delay Time
4.5 ns
Typical Gate Charge @ Vgs
2.5 nC@ 10 V
тип монтажа
Surface Mount
Typical Turn-Off Delay Time
11 ns
Максимальная рассеиваемая мощность
3 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Typical Input Capacitance @ Vds
205 pF@ 15 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Pin Count
4
разрешение
Power MOSFET

Дополнительная информация

Datasheet FDT458P
Trans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin SOT-223

Способы получения товара в регионе Москва

Магазин «ЧИП и ДИП» 1 день бесплатно
Курьер 1 день 300 руб.*
Евросеть 2 – 4 дня 130 руб.*
PickPoint 2 дня 150 руб.*
ТК Деловые линии 1 день 500 руб.*
Почта России 3 – 4 дня 200 руб.*
Экспресс-почта Major-Express 2 дня 550 руб.*

* для посылок массой до 1 кг