FDT458P, Транзистор полевой P-канальный 30В 3.4А 0.13 Ом, 3Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
35 руб.
Мин. кол-во для заказа 13 шт.
от 70 шт. —
28 руб.
от 139 шт. —
26 руб.
от 278 шт. —
24 руб.
Добавить в корзину 13 шт.
на сумму 455 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой P-канальный 30В 3.4А 0.13 Ом, 3Вт
Технические параметры
| Корпус | SOT-223 | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.4A(Ta) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| FET Feature | - | |
| FET Type | P-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5nC @ 10V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 205pF @ 15V | |
| Manufacturer | ON Semiconductor | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) | |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA | |
| Packaging | Cut Tape(CT) | |
| Part Status | Active | |
| Power Dissipation (Max) | 3W(Ta) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 3.4A, 10V | |
| Series | PowerTrenchВ® | |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 | |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250ВµA | |
| Вес, г | 0.85 |
Техническая документация
Документация
pdf, 274 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
