STGF3NC120HD, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 7 А, 25 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
433 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
200 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 14 шт. —
170 руб.
от 28 шт. —
151 руб.
от 50 шт. —
145 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 600 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 7 А, 25 Вт
Технические параметры
Корпус | TO-220FP | |
Brand | STMicroelectronics | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1200 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.8 V | |
Configuration | Single | |
Continuous Collector Current | 3 A | |
Continuous Collector Current at 25 C | 6 A | |
Continuous Collector Current Ic Max | 6 A | |
Factory Pack Quantity | 1000 | |
Gate-Emitter Leakage Current | +/-100 nA | |
Height | 9.3 mm | |
Length | 10.4 mm | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Package / Case | TO-220-3 FP | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 25 W | |
Product Category | IGBT Transistors | |
RoHS | Details | |
Series | 900-1300V IGBTs | |
Technology | Si | |
Width | 4.6 mm | |
Case | TO220FP | |
Collector current | 3A | |
Collector-emitter voltage | 1.2kV | |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode | |
Gate charge | 24nC | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Kind of package | tube | |
Mounting | THT | |
Power dissipation | 25W | |
Pulsed collector current | 20A | |
Type of transistor | IGBT | |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 763 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.