STGF3NC120HD

PartNumber: STGF3NC120HD
Ном. номер: 8265892118
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STGF3NC120HD
Фото 2/2 STGF3NC120HD
160 руб.
Доступно на заказ 1799 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней
от 10 шт. — 100 руб.
от 20 шт. — 93 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
65 руб. 700 шт. 3-4 недели 50 шт. 100 шт.
от 350 шт. — 64.50 руб.
от 700 шт. — 62.70 руб.
160 руб. 1000 шт. 3-4 недели 1 шт. 1 шт.
140 руб. 40 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Корпус: TO-220FP, инфо: Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 7 А, 25 Вт

Технические параметры

Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
10.4 x 4.6 x 16.4mm
высота
16.4mm
длина
10.4mm
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Continuous Collector Current
6 A
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
25 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
тип упаковки
TO-220FP
Pin Count
3
ширина
4.6mm

Дополнительная информация

STGB3NC120HD, STGF3NC120HD, STGP3NC120HD, 7A, 1200V Very Fast IGBT with Ultrafast Diode Data Sheet

Способы получения товара в регионе Москва

Магазин «ЧИП и ДИП» 1 день бесплатно
Курьер 1 день 300 руб.*
Евросеть 2 – 4 дня 130 руб.*
PickPoint 2 дня 150 руб.*
ТК Деловые линии 1 день 500 руб.*
Почта России 3 – 4 дня 200 руб.*
Экспресс-почта Major-Express 2 дня 550 руб.*

* для посылок массой до 1 кг