SI4056DY-T1-GE3

PartNumber: SI4056DY-T1-GE3
Ном. номер: 8267622214
Производитель: Vishay
SI4056DY-T1-GE3
68 руб.
Доступно на заказ 1219 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней
от 36 шт. — 40 руб.
от 71 шт. — 35 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
Добавить в корзину 7 шт. на сумму 476 руб.
N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: 8-SO, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 11.1 А, 2.5W

Технические параметры

разрешение
Trench MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Quad Drain, Triple Source
размеры
5 x 4 x 1.5mm
высота
1.5mm
длина
5mm
Maximum Continuous Drain Current
11.1 A
Maximum Drain Source Resistance
0.031 Ω
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
5.7 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SOIC
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
19.6 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
900 pF@ 50 V
Typical Turn-Off Delay Time
20 ns
Typical Turn-On Delay Time
13 ns
ширина
4mm
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V

Дополнительная информация

Si4056DY, N-Channel 100V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet

Способы получения товара в регионе Москва

Магазин «ЧИП и ДИП» 1 день бесплатно
Курьер 1 день 300 руб.*
Евросеть 2 – 4 дня 130 руб.*
PickPoint 2 дня 150 руб.*
ТК Деловые линии 1 день 500 руб.*
Почта России 3 – 4 дня 200 руб.*
Экспресс-почта Major-Express 2 дня 550 руб.*

* для посылок массой до 1 кг