IRFB3207PBF, Nкан 75В 180А TO220AB

PartNumber: IRFB3207PBF
Ном. номер: 8275822377
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IRFB3207PBF, Nкан 75В 180А TO220AB
Фото 2/4 IRFB3207PBF, Nкан 75В 180А TO220ABФото 3/4 IRFB3207PBF, Nкан 75В 180А TO220ABФото 4/4 IRFB3207PBF, Nкан 75В 180А TO220AB
300 руб.
Есть в наличии 210 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва 3 дня
от 15 шт. — 140 руб.
от 150 шт. — 113.22 руб.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
279 руб. 110 шт. 3-4 недели 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 253 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The IRFB3207PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
• Fast switching

Транзисторы полевые импортные

Технические параметры

Структура
N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
170
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
4.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
300
Крутизна характеристики S,А/В
150
Температура, С
-55...+175
Корпус
TO220AB

Дополнительная информация

Datasheet IRFB3207PBF
Datasheet IRFB3207PBF
IRFB3207PbF, IRFS3207PbF, IRFSL3207PbF, HEXFET Power MOSFET

Способы получения товара в регионе Москва

Магазин «ЧИП и ДИП» 1 день бесплатно
Курьер 1 день 300 руб.*
Евросеть 2 – 4 дня 130 руб.*
PickPoint 2 дня 150 руб.*
ТК Деловые линии 1 день 500 руб.*
Почта России 3 – 4 дня 200 руб.*
Экспресс-почта Major-Express 2 дня 550 руб.*

* для посылок массой до 1 кг