MMBT5551

MMBT5551
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
510 шт. со склада г.Москва, срок 4 рабочих дня
4 руб.
Мин. кол-во для заказа 109 шт.
от 457 шт.3 руб.
Добавить в корзину 109 шт. на сумму 436 руб.
Номенклатурный номер: 8276658794
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: Galaxy ME

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

корпус: SOT-23, инфо: Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт

Технические параметры

Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 180
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 80
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.35
Корпус sot-23
Вес, г 0.05

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах