STB32N65M5

PartNumber: STB32N65M5
Ном. номер: 8278169722
Производитель: ST Microelectronics
STB32N65M5
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
230 руб.
Доступно на заказ 790 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней
от 4 шт. — 190 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 460 руб.
MOSFETs
Trans MOSFET N-CH Si 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: D2PAK, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 24 А, 0.119 Ом

Технические параметры

EU RoHS
Compliant
Product Category
Power MOSFET
Configuration
Single
Technology
MDmesh V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Material
Si
Maximum Drain Source Voltage (V)
650
Maximum Gate Source Voltage (V)
±25
Maximum Continuous Drain Current (A)
24
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
119@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
72@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
72
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
3320@100V
Maximum Power Dissipation (mW)
150000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Typical Turn-On Delay Time (ns)
53
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
53
Typical Fall Time (ns)
16
Typical Rise Time (ns)
12
Mounting
Surface Mount
Package Height (mm)
4.6(Max)
Package Length (mm)
10.4(Max)
Package Width (mm)
9.35(Max)
PCB changed
2
Tab
Tab
Standard Package Name
TO-263
Supplier Package
D2PAK
Pin Count
3
Lead Shape
Gull-wing

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.