NTD3055L104T4G

PartNumber: NTD3055L104T4G
Ном. номер: 8287097800
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 NTD3055L104T4G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 NTD3055L104T4G
29 руб.
Доступно на заказ 1448 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней
от 47 шт. — 18 руб.
от 94 шт. — 16 руб.
Мин. кол-во для заказа 16 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
52 руб. 6575 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 100 шт. — 30 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: DPAK-3, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 12 А

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
12 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
48 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.38мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.38мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одиночный
Типичное время задержки включения
9.2 ns
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
19 ns
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
104 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
7.4 nC @ 5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
316 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-15 В, +15 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.