IRF640NSPBF

Фото 2/5 IRF640NSPBFФото 3/5 IRF640NSPBFФото 4/5 IRF640NSPBFФото 5/5 IRF640NSPBF
Фото 1/5 IRF640NSPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
146 шт. со склада г.Москва, срок 6 рабочих дней
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 19 шт.63 руб.
от 50 шт.55 руб.
от 100 шт.50 руб.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 420 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8287684936
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: D2PAK, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 18 А, 3.1 Вт, 0.15 Ом

MOSFET, N, 200V, 18A, D2-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 200V Current, Id Cont 18A Resistance, Rds On 0.15ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style D2-PAK Termination Type SMD Alternate Case Style D2-PAK Current, Idm Pulse 72A Power Dissipation 150W Power, Pd 150W SMD Marking IRF640NS Thermal Resistance, Junction to Case A 1°C/W Voltage, Vds 200V Voltage, Vds Max 200V Voltage, Vgs th Max 4V
Корпус TO-263-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 150 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 18 А
Тип корпуса D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности 150 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 9.65мм
Высота 4.83мм
Размеры 10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.67мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 10 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 23 ns
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 0,15 Ω
Максимальное напряжение сток-исток 200 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 67 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1160 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 2.02

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах