IRFU3607PBF, Транзистор полевой N-канальный 75В 56А 140Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

82 руб.

Мин. кол-во для заказа 6 шт.

от 12 шт. — 74 руб.

от 24 шт. — 67 руб.

от 47 шт. — 64 руб.

Добавить в корзину 6 шт. на сумму 492 руб.

Номенклатурный номер: 8290872693

Артикул: IRFU3607PBF

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 75В 56А 140Вт

Корпус	TO-251AA
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	80 A
Maximum Drain Source Resistance	9 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	75 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	140 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	IPAK(TO-251)
Pin Count	3
Series	HEXFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	56 nC @ 10 V
Width	2.39mm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	56A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	84nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3070pF @ 50V
Manufacturer	Infineon Technologies
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging	Tube
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	140W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 46A, 10V
Supplier Device Package	IPAK(TO-251)
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 100ВµA
Вес, г	0.658