IRFU3607PBF

PartNumber: IRFU3607PBF
Ном. номер: 8290872693
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRFU3607PBF
Фото 2/3 IRFU3607PBFФото 3/3 IRFU3607PBF
92 руб.
Доступно на заказ 30 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней
от 27 шт. — 55 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
92 руб. 11 шт. Со склада 1 шт. 1 шт.
от 5 шт. — 39 руб.
150 руб. 150 шт. 2-3 недели 5 шт. 25 шт.
от 50 шт. — 121 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-Channel Power MOSFET 80A to 99A, International Rectifier
International Rectifier's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, International Rectifier
International Rectifier's comprehensive portfolio of rugged single- and dual- N-channel and P-channel devices offers fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements in applications ranging from AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: I-Pak, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 56 А, 140 Вт

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
6.73 x 2.39 x 6.22mm
высота
6.22mm
длина
6.73mm
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Resistance
0.009 Ω
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
140 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
IPAK
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
56 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
3070 pF@ 50 V
Typical Turn-Off Delay Time
43 ns
Typical Turn-On Delay Time
16 ns
ширина
2.39mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V

Техническая документация

IRFR3607PBF datasheet
pdf, 386 КБ

Дополнительная информация

MOSFET N-ch HEXFET 75V 80A DPAK

Способы получения товара в регионе Москва

Магазин «ЧИП и ДИП» 1 день бесплатно
Курьер 1 день 300 руб.*
Евросеть 2 – 4 дня 130 руб.*
PickPoint 2 дня 150 руб.*
ТК Деловые линии 1 день 500 руб.*
Почта России 3 – 4 дня 200 руб.*
Экспресс-почта Major-Express 2 дня 550 руб.*

* для посылок массой до 1 кг