MMBF4392LT1G

PartNumber: MMBF4392LT1G
Ном. номер: 8295047247
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 MMBF4392LT1G
Фото 2/3 MMBF4392LT1GФото 3/3 MMBF4392LT1G
13 руб.
Доступно на заказ 1595 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней
от 103 шт. — 8 руб.
от 206 шт. — 6.50 руб.
Мин. кол-во для заказа 35 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
24.70 руб. 6951 шт. 3-4 недели 1 шт. 10 шт.
от 25 шт. — 23.10 руб.
33 руб. 1290 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 32 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The MMBF4392LT1G is a N-channel JFET Switching Transistor designed for analogue switching and chopper applications.

• 30VDC Drain-source voltage
• 30VDC Drain-gate voltage
• 30VDC Gate-source voltage
• 50mA Forward gate current

Транзисторы / Полевые транзисторы / Транзисторы управляемые p-n переходом
Корпус: SOT-23-3 (TO-236), инфо: Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Transistor Configuration
Одиночный
Запирающий ток сток-исток Idss
25 → 75mA
Производитель
ON Semiconductor
Тип корпуса
UDFN/USON
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.3мм
Высота
0.94мм
Максимальное сопротивление сток-исток
60 Ом
Максимальное напряжение сток-затвор
30V
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
3
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.94мм
Конфигурация
Одиночный
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
+30 В

Дополнительная информация

Datasheet MMBF4392LT1G
Datasheet MMBF4392LT1G

Способы получения товара в регионе Москва

Магазин «ЧИП и ДИП» 1 день бесплатно
Курьер 1 день 300 руб.*
Евросеть 2 – 4 дня 130 руб.*
PickPoint 2 дня 150 руб.*
ТК Деловые линии 1 день 500 руб.*
Почта России 3 – 4 дня 200 руб.*
Экспресс-почта Major-Express 2 дня 550 руб.*

* для посылок массой до 1 кг