MMBF4392LT1G, Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
41 руб.
Мин. кол-во для заказа 12 шт.
от 61 шт. —
33 руб.
от 121 шт. —
30 руб.
от 241 шт. —
28 руб.
Добавить в корзину 12 шт.
на сумму 492 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Транзисторы управляемые p-n переходом
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт
Технические параметры
| Корпус | sot-23 |
| Case | SOT23 |
| Drain current | 25mA |
| Drain-source voltage | 30V |
| Gate current | 50mA |
| Gate-source voltage | 30V |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 60Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 0.225W |
| Type of transistor | N-JFET |
| Вес, г | 0.38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 174 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
