MMBF4392LT1G

PartNumber: MMBF4392LT1G
Ном. номер: 8295047247
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 MMBF4392LT1G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 MMBF4392LT1G
14 руб.
845 шт. со склада г.Москва,
срок 5 рабочих дней
от 179 шт. — 8 руб.
от 357 шт. — 6.10 руб.
Мин. кол-во для заказа 46 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
4.80 руб. 18000 шт. 3-4 недели 3000 шт. 3000 шт.
от 12000 шт. — 4.60 руб.
44 руб. 17812 шт. 3-4 недели 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 29.90 руб.
от 25 шт. — 26.90 руб.
34 руб. 1040 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 32 руб.
от 100 шт. — 15 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-channel JFET, ON Semiconductor

Транзисторы / Полевые транзисторы / Транзисторы управляемые p-n переходом
Корпус: SOT-23-3 (TO-236), инфо: Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Transistor Configuration
Одинарный
Запирающий ток сток-исток Idss
25 → 75mA
Производитель
ON Semiconductor
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.3мм
Высота
0.94мм
Максимальное сопротивление сток-исток
60 Ом
Максимальное напряжение сток-затвор
30V
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
3
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.94мм
Конфигурация
Одинарный
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
+30 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.