IRF6218PBF, Транзистор полевой P-канальный 150В 27А 250Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 9 шт. —
270 руб.
от 18 шт. —
243 руб.
от 36 шт. —
233 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 640 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой P-канальный 150В 27А 250Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-220AB | |
| Brand | Infineon/IR | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 1000 | |
| Fall Time | 30 ns | |
| Height | 15.65 mm | |
| Id - Continuous Drain Current | -27 A | |
| Length | 10 mm | |
| Manufacturer | Infineon | |
| Maximum Operating Temperature | +175 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | Through Hole | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Package / Case | TO-220-3 | |
| Packaging | Tube | |
| Pd - Power Dissipation | 250 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge | 21 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 150 mOhms | |
| Rise Time | 70 ns | |
| RoHS | Details | |
| Technology | Si | |
| Transistor Polarity | P-Channel | |
| Transistor Type | 1 P-Channel | |
| Type | Smps MOSFET | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 21 ns | |
| Unit Weight | 0.211644 oz | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -150 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V | |
| Width | 4.4 mm | |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Документация
pdf, 142 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
