IRFB3206PBF, Транзистор HEXFET N-канал 60В 120А [TO-220AB]
![Фото 1/7 IRFB3206PBF, Транзистор HEXFET N-канал 60В 120А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
440 руб.
от 15 шт. —
371 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 440 руб.
Описание
Infineon offers a comprehensive portfolio of rugged N-channel and P-channel MOSFET devices for motor control applications.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 210 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.003 Ом/75А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 | |
| Крутизна характеристики, S | 210 | |
| Корпус | TO-220AB | |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 329 КБ
IRFS3206PBF Datasheet
pdf, 442 КБ
Datasheet IRF/B/S/SL3206PBF
pdf, 323 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
