PBSS4160DPN,115, Биполярный транзистор NPN/PNP, 60 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1559 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
34 руб.
Мин. кол-во для заказа 14 шт.
от 73 шт. —
27 руб.
от 145 шт. —
25 руб.
от 290 шт. —
23 руб.
Добавить в корзину 14 шт.
на сумму 476 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Сборки биполярных транзисторов
Биполярный транзистор NPN/PNP, 60 В
Технические параметры
| Корпус | 6-TSOP | |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V | |
| Maximum DC Collector Current | 1 A | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
| Maximum Operating Frequency | 220 MHz | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 700 mW | |
| Minimum DC Current Gain | 250 | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Package Type | TSOP | |
| Pin Count | 6 | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Transistor Type | NPN/PNP | |
| Вес, г | 0.006 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
