BCW30LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А

Фото 1/3 BCW30LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 руб.
Мин. кол-во для заказа 223 шт.
от 225 шт.2 руб.
от 315 шт.1.60 руб.
от 629 шт.1.40 руб.
Добавить в корзину 223 шт. на сумму 669 руб.
Номенклатурный номер: 8324665225
Артикул: BCW30LT1G

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А

Технические параметры

Корпус sot-23
Automotive No
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Material Si
Maximum Collector Base Voltage (V) 32
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.3 0.5mA 10mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 32
Maximum DC Collector Current (A) 0.1
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 300
Minimum DC Current Gain 215 2mA 5V
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Product Category Bipolar Small Signal
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-23
Supplier Temperature Grade Automotive
Type PNP
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet BCW30LT1G
pdf, 244 КБ
Datasheet BCW30LT1G
pdf, 295 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов