MUN5311DW1T1G, Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

13 руб.

Мин. кол-во для заказа 37 шт.

от 190 шт. — 10 руб.

от 380 шт. — 8.40 руб.

от 760 шт. — 7.40 руб.

Добавить в корзину 37 шт. на сумму 481 руб.

Номенклатурный номер: 8333577083

Артикул: MUN5311DW1T1G

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Сборки цифровых транзисторов

Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм

Корпус	SOT363-6
Automotive	No
Configuration	Dual
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.25 0.3mA 10mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	50
Maximum Continuous DC Collector Current (mA)	100
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	385
Minimum DC Current Gain	35 5mA 10V
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Packaging	Tape and Reel
Part Status	Active
PCB changed	6
Pin Count	6
PPAP	No
Standard Package Name	SC
Supplier Package	SC-88
Type	PNP\|NPN
Typical Input Resistor (kOhm)	10
Typical Resistor Ratio	1
Brand	ON Semiconductor
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Continuous Collector Current	0.1 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min	35
DC Current Gain HFE Max	35 at 5 mA at 10 V
Factory Pack Quantity	3000
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number Of Channels	2 Channel
Package / Case	SC-88-6
Pd - Power Dissipation	187 mW
Peak DC Collector Current	100 mA
Product Category	Bipolar Transistors-Pre-Biased
Product Type	BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Series	MUN5311DW1
Subcategory	Transistors
Transistor Polarity	NPN, PNP
Typical Input Resistor	10 kOhms
Maximum Collector Emitter Voltage	50 V
Maximum DC Collector Current	100 mA
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Package Type	SOT-363(SC-88)
Transistor Configuration	Isolated
Transistor Type	NPN/PNP
Вес, г	0.04