MUN5311DW1T1G

PartNumber: MUN5311DW1T1G
Ном. номер: 8333577083
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/4 MUN5311DW1T1G
Фото 2/4 MUN5311DW1T1GФото 3/4 MUN5311DW1T1GФото 4/4 MUN5311DW1T1G
Доступно на заказ более 700 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
7 руб. × = 273 руб.
Минимальное количество для заказа 39 шт.
от 500 шт. — 3 руб.
от 3000 шт. — 1.47 руб.

Описание

The MUN5311DW1T1G is a dual NPN-PNP Digital Transistor designed to replace a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device.

• Simplifies circuit design
• Reduces board space
• Reduces component count

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Сборки цифровых транзисторов
Корпус: SOT363-6, инфо: Цифровой биполярный транзистор, сборка, ток смещения, NPN/PNP, 50 В, 100 мА, 10 кОм

Технические параметры

конфигурация
Dual
Dimensions
2 x 1.25 x 0.9mm
Maximum Collector Emitter Voltage
50 V
Maximum Continuous Collector Current
100 mA
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Package Type
SC-88
Pin Count
6
Typical Input Resistor
10 kΩ
Typical Resistor Ratio
1
Width
1.25mm
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.25 V
Minimum DC Current Gain
35
Transistor Type
NPN, PNP
высота
0.9mm
длина
2mm
тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

Datasheet MUN5311DW1T1G
Datasheet MUN5311DW1T1G
MUN5311DW1T1G Series Dual Bias Resistor Transistors Data Sheet