NDS355AN, Транзистор полевой N-канальный 30В 1.7А 0.5Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
43 руб.
Мин. кол-во для заказа 11 шт.
от 59 шт. —
34 руб.
от 118 шт. —
31 руб.
от 235 шт. —
29 руб.
Добавить в корзину 11 шт.
на сумму 473 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 30В 1.7А 0.5Вт
Технические параметры
Корпус | sot-23 | |
Channel Type | N Channel | |
Drain Source On State Resistance | 0.065Ом | |
Power Dissipation | 500мВт | |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C | |
Монтаж транзистора | Surface Mount | |
Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В | |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В | |
Непрерывный Ток Стока | 1.7А | |
Полярность Транзистора | N Канал | |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В | |
Рассеиваемая Мощность | 500мВт | |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.065Ом | |
Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT | |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный | |
Channel Mode | Enhancement | |
Maximum Continuous Drain Current | 1.7 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 230 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 500 mW | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-23 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 3.5 nC @ 5 V | |
Width | 1.4mm | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов