IGBT транзистор IRG7PH35UDPBF SP001537540 IRF

IGBT транзистор IRG7PH35UDPBF SP001537540 IRF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
155 шт. со склада г.Москва, срок 5-7 рабочих дней
630 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 630 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8359087317
Артикул: IRG7PH35UDPBF
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Транзисторы импортные

Примечание: !

Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники.

Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF, IRG7PH46UPBF и также аналогичные приборы со встроенным диодом с малым временем восстановления. Новое семейство сверхбыстрых 1200 В транзисторов разработано на основе Trench технологии с плоской подложкой Field-Stop, которая позволяет значительно сократить потери на переключение и проводимость для повышения плотности мощности и эффективности работы на высоких частотах. Транзисторы также оптимизированы для применений, не требующих защиты от короткого замыкания, таких как UPS, солнечные инвертеры, сварочное оборудование, и дополняют линейку продукции IR для управления приводами со стойкостью к воздействию тока короткого замыкания в течение 10 мс.

Линейка транзисторов охватывает диапазон токов 20-40 А для корпусированных приборов и до 150 А для кристаллов. Ключевыми преимуществами IGBT является квадратная область безопасной работы (RBSOA), положительный температурный коэффициент напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCEon), малое напряжение насыщения VCEon для уменьшения мощности рассеивания и повышения плотности энергии.

Технические параметры

Base Product Number IRG7PH35 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
ECCN EAR99
Gate Charge 85nC
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power - Max 180W
REACH Status REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr) 105ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-247AC
Switching Energy 1.06mJ (on), 620ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C 30ns/160ns
Test Condition 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V

Техническая документация

IRG7PH35UDPBF datasheet
pdf, 460 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRG7PH35UDPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Видео

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах