BCW60D,215, Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
656 шт. со склада г.Москва, срок 2 недели
3 руб.
Мин. кол-во для заказа 197 шт.
от 283 шт. —
1.90 руб.
от 565 шт. —
1.60 руб.
Добавить в корзину 197 шт.
на сумму 591 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А
Технические параметры
Корпус | sot-23 | |
Pd - рассеивание мощности | 250 mW | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Высота | 1 mm | |
Длина | 3 mm | |
Другие названия товара № | BCW60D T/R | |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
Конфигурация | Single | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A | |
Минимальная рабочая температура | 65 C | |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 32 V | |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V | |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V | |
Подкатегория | Transistors | |
Полярность транзистора | NPN | |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz | |
Размер фабричной упаковки | 3000 | |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
Торговая марка | Nexperia | |
Упаковка / блок | SOT-23-3 | |
Ширина | 1.4 mm | |
Base Product Number | BCW60 -> | |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA | |
Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) | |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 380 @ 2mA, 5V | |
ECCN | EAR99 | |
Frequency - Transition | 250MHz | |
HTSUS | 8541.21.0075 | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) | |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Power - Max | 250mW | |
REACH Status | REACH Unaffected | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Series | Automotive, AEC-Q101 -> | |
Supplier Device Package | TO-236AB | |
Transistor Type | NPN | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 1.25mA, 50mA | |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32V | |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 32V | |
Maximum DC Collector Current | 100mA | |
Pd - Power Dissipation | 250mW | |
кол-во в упаковке | 3000 | |
Maximum Collector Base Voltage | 32 V | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 32 V | |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
Maximum Operating Frequency | 250 MHz | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 250 mW | |
Minimum DC Current Gain | 380 | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-23(TO-236AB) | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.