FDPF39N20, Транзистор полевой N-канальный 200В 39А 0066 Ом, 37Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
520 руб.
от 6 шт. —
430 руб.
от 12 шт. —
400 руб.
от 23 шт. —
385 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 520 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 200В 39А 0066 Ом, 37Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-220F | |
| Id - непрерывный ток утечки | 39 A | |
| Pd - рассеивание мощности | 37 W | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 56 mOhms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V | |
| Вид монтажа | Through Hole | |
| Время нарастания | 160 ns | |
| Время спада | 150 ns | |
| Высота | 16.07 mm | |
| Длина | 10.36 mm | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Конфигурация | Single | |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 28.5 S | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Размер фабричной упаковки | 1000 | |
| Серия | FDPF39N20 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 N-Channel | |
| Типичное время задержки выключения | 150 ns | |
| Типичное время задержки при включении | 30 ns | |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild | |
| Упаковка | Tube | |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 | |
| Ширина | 4.9 mm | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Continuous Drain Current | 39(A) | |
| Drain-Source On-Volt | 200(V) | |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±30(V) | |
| Mounting | Through Hole | |
| Number of Elements | 1 | |
| Operating Temp Range | -55C to 150C | |
| Operating Temperature Classification | Military | |
| Package Type | TO-220FP | |
| Packaging | Rail/Tube | |
| Pin Count | 3+Tab | |
| Polarity | N | |
| Power Dissipation | 37(W) | |
| Rad Hardened | No | |
| Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 39 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 66 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 37 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Series | UniFET | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| Width | 4.9mm | |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 468 КБ
Datasheet FDPF39N20
pdf, 626 КБ
Datasheet FDPF39N20
pdf, 624 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
