MJD117T4, Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт

Фото 1/6 MJD117T4, Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2224 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
81 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 68 шт.65 руб.
от 135 шт.62 руб.
от 269 шт.57 руб.
Добавить в корзину 6 шт. на сумму 486 руб.
Альтернативные предложения3
Посмотреть аналоги6
Номенклатурный номер: 8376768966
Артикул: MJD117T4
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт

Технические параметры

Корпус DPAK/TO-252AA
Automotive No
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape Gull-wing
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 4@40mA@4A
Maximum Collector Base Voltage (V) 100
Maximum Collector Cut-Off Current (uA) 20
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 3@40mA@4A|2@8mA@2A
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 100
Maximum Continuous DC Collector Current (A) 2
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 20000
Minimum DC Current Gain 500@500mA@3V|200@4A@3V|1000@2A@3V
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 2
Pin Count 3
PPAP No
Standard Package Name TO-252
Supplier Package DPAK
Supplier Temperature Grade Industrial
Tab Tab
Type PNP
Typical Current Gain Bandwidth (MHz) 25(Min)
Brand: STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO: 100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 100 V
Configuration: Single
DC Collector/Base Gain hFE Min: 200
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Collector Cut-off Current: 20 uA
Maximum DC Collector Current: 2 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: TO-252
Product Category: Darlington Transistors
Product Type: Darlington Transistors
Series: MJD117
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: PNP
Brand STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO 100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 100 V
DC Collector/Base Gain hfe Min 200
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Factory Pack Quantity 2500
Height 2.4 mm
Length 6.6 mm
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Collector Cut-off Current 20 uA
Maximum DC Collector Current 2 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case TO-252
Product Category Darlington Transistors
RoHS Details
Series MJD117T4
Transistor Polarity PNP
Width 6.2 mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 4 V
Maximum Collector Base Voltage 100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 3 V
Maximum Collector Emitter Voltage 100 V
Maximum Continuous Collector Current 4 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Minimum Operating Temperature -65 °C
Mounting Type Surface Mount
Package Type DPAK(TO-252)
Transistor Configuration Single
Transistor Type PNP
Вес, г 0.66

Техническая документация

Datasheet
pdf, 379 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 366 КБ
Datasheet
pdf, 368 КБ
Datasheet
pdf, 578 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.