STD1NK80ZT4, Транзистор полевой N-канальный 800В 1А 45Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4322 шт. со склада г.Москва, срок 8 дней
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 108 шт. —
91 руб.
от 215 шт. —
86 руб.
от 430 шт. —
84 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 480 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 800В 1А 45Вт
Технические параметры
| Корпус | dpak | |
| Brand: | STMicroelectronics | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 | |
| Fall Time: | 55 ns | |
| Forward Transconductance - Min: | 0.8 S | |
| Id - Continuous Drain Current: | 1 A | |
| Manufacturer: | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package / Case: | TO-252-3 | |
| Pd - Power Dissipation: | 45 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 7.7 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 13 Ohms | |
| Rise Time: | 30 ns | |
| Series: | STD1NK80Z | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Type: | MOSFET | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | |
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 2500 | |
| Fall Time | 55 ns | |
| Forward Transconductance - Min | 0.8 S | |
| Id - Continuous Drain Current | 1 A | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Package / Case | DPAK-3 | |
| Packaging | Reel | |
| Pd - Power Dissipation | 45 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge | 7.7 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 13 Ohms | |
| Rise Time | 30 ns | |
| RoHS | Details | |
| Series | STD1NK80Z | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 22 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V | |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | 30 V | |
| Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
