IRF6215PBF

PartNumber: IRF6215PBF
Ном. номер: 8388758210
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF6215PBF
Фото 2/3 IRF6215PBFФото 3/3 IRF6215PBF
Доступно на заказ более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 рабочих дней.
94 руб. × = 282 руб.
Минимальное количество для заказа 3 шт.
от 10 шт. — 62 руб.
от 50 шт. — 34.36 руб.
Есть аналоги

Описание

The IRF6215PBF is a HEXFET® fifth generation single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TO-220AB, инфо: Fifth Generation HEXFETs P-channel -150V; -13A; 0.29 Om

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
конфигурация
Single
размеры
10.54 x 4.69 x 8.77mm
высота
8.77mm
длина
10.54mm
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Drain Source Resistance
0.29 Ω
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
110 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-220AB
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
66 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
860 pF@ 25 V
Typical Turn-Off Delay Time
53 ns
Typical Turn-On Delay Time
14 ns
ширина
4.69mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V

Дополнительная информация

Datasheet IRF6215PBF
IRF6215PBF Data Sheet IRF6215PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов