FDS4435BZ, МОП-транзистор, P Канал, -8.8 А, -30 В, 0.016 Ом, -10 В, -2.1 В [SO-8]

Фото 1/5 FDS4435BZ, МОП-транзистор, P Канал, -8.8 А, -30 В, 0.016 Ом, -10 В, -2.1 В [SO-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
от 50 шт.108 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.
Номенклатурный номер: 9000297759
Артикул: FDS4435BZ

Описание

Fairchild Semiconductor is providing solutions that solve complex challenges in the automotive market With a thorough command of quality, safety, and reliability standards.

Технические параметры

Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8.8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.02 Ом/8.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.2
Крутизна характеристики, S 24
Корпус SOIC-8
Вес, г 0.15

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 225 КБ
Документация
pdf, 388 КБ
Datasheet FDS4435BZ
pdf, 402 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов