BUX85G, Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 2 А, 50 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
65 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 15 шт. —
59 руб.
от 29 шт. —
53 руб.
от 50 шт. —
51 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 455 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 2 А, 50 Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-220AB | |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W | |
| Вид монтажа | Through Hole | |
| Высота | 15.75 mm | |
| Длина | 10.53 mm | |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 | |
| Конфигурация | Single | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A | |
| Минимальная рабочая температура | 65 C | |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 1 kV | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 450 V | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V | |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V | |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A | |
| Подкатегория | Transistors | |
| Полярность транзистора | NPN | |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 4 MHz | |
| Размер фабричной упаковки | 50 | |
| Серия | BUX85 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
| Торговая марка | ON Semiconductor | |
| Упаковка | Tube | |
| Упаковка / блок | TO-220-3 | |
| Ширина | 4.83 mm | |
| Brand | ON Semiconductor | |
| Collector- Base Voltage VCBO | 1 kV | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 450 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1 V | |
| Configuration | Single | |
| Continuous Collector Current | 2 A | |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 30 | |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V | |
| Factory Pack Quantity | 50 | |
| Gain Bandwidth Product fT | 4 MHz | |
| Height | 15.75 mm | |
| Length | 10.53 mm | |
| Manufacturer | ON Semiconductor | |
| Maximum DC Collector Current | 2 A | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -65 C | |
| Mounting Style | Through Hole | |
| Package / Case | TO-220-3 | |
| Packaging | Tube | |
| Pd - Power Dissipation | 50 W | |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT | |
| RoHS | Details | |
| Series | BUX85 | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Unit Weight | 0.211644 oz | |
| Width | 4.83 mm | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 450 V | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
| Maximum Operating Frequency | 4 MHz | |
| Maximum Power Dissipation | 50 W | |
| Minimum DC Current Gain | 30 | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Type | NPN | |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
