BSS139H6327XTSA1, Транзистор полевой N-канальный 250В 0.04А 0.36Вт, 100 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
37 руб.
Мин. кол-во для заказа 13 шт.
от 301 шт. —
29 руб.
от 601 шт. —
27 руб.
от 1201 шт. —
25 руб.
Добавить в корзину 13 шт.
на сумму 481 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 250В 0.04А 0.36Вт, 100 Ом
Технические параметры
Корпус | sot-23 | |
Id - непрерывный ток утечки | 100 mA | |
Pd - рассеивание мощности | 360 mW | |
Qg - заряд затвора | 2.3 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 14 Ohms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.1 V | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Время нарастания | 5.4 ns | |
Время спада | 182 ns | |
Высота | 1.1 mm | |
Длина | 2.9 mm | |
Другие названия товара № | BSS139 BSS139H6327XT H6327 SP000702610 | |
Канальный режим | Depletion | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Квалификация | AEC-Q101 | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Конфигурация | Single | |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 60 mS | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 3000 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Типичное время задержки выключения | 29 ns | |
Типичное время задержки при включении | 5.8 ns | |
Торговая марка | Infineon Technologies | |
Упаковка / блок | PG-SOT-23-3 | |
Ширина | 1.3 mm | |
Base Product Number | BSS139 -> | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 100mA (Ta) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V | |
ECCN | EAR99 | |
FET Feature | Depletion Mode | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5nC @ 5V | |
HTSUS | 8541.21.0095 | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 76pF @ 25V | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14Ohm @ 100ВµA, 10V | |
REACH Status | REACH Unaffected | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Series | SIPMOSВ® -> | |
Supplier Device Package | SOT-23-3 | |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±20V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 56ВµA | |
Brand | Infineon Technologies | |
Channel Mode | Depletion | |
Configuration | 1 N-Channel | |
Factory Pack Quantity | 6000 | |
Fall Time | 182 ns | |
Forward Transconductance - Min | 60 mS | |
Height | 1.1 mm | |
Id - Continuous Drain Current | 100 mA | |
Length | 2.9 mm | |
Manufacturer | Infineon | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Packaging | Reel | |
Part # Aliases | BSS139 BSS139H6327XT H6327 SP000702610 | |
Pd - Power Dissipation | 360 mW | |
Product Category | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 3.5 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 7.8 Ohms | |
Rise Time | 5.4 ns | |
RoHS | Details | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time | 29 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 5.8 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 250 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -2.1 V | |
Width | 1.3 mm | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 100 mA | |
Maximum Drain Source Voltage | 250 V | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-23 | |
Pin Count | 3 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов