IRF7420TRPBF, Pкан -12В -11.5А SO8

PartNumber: IRF7420TRPBF
Ном. номер: 8429657195
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRF7420TRPBF, Pкан -12В -11.5А SO8
Фото 2/3 IRF7420TRPBF, Pкан -12В -11.5А SO8Фото 3/3 IRF7420TRPBF, Pкан -12В -11.5А SO8
Есть в наличии более 60 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 3 дня.
76 руб. × = 76 руб.
от 80 шт. — 25 руб.
от 800 шт. — 20.64 руб.

Описание

HEXFET® P-Channel Power MOSFETs, International Rectifier
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single P-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.

MOSFET Transistors, International Rectifier Cam & Groove Couplings - Polypropylene
Infineon comprehensive portfolio of rugged single and dual N-channel and P-channel devices offer fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements. Applications range from ac-dc and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Транзисторы полевые импортные

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
P
Конфигурация
Четырехканальный дренаж, тройной источник
Размеры
5 x 4 x 1.5mm
Максимальный непрерывный ток стока
11.5 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.026 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
12 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±8 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
2.5 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
38 нКл при -4.5 В
Типичная входная емкость при Vds
3529 пФ при -10 В
Типичное время задержки выключения
291 нс
Типичное время задержки включения
8.8 нс
Ширина
4mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Высота
1.5mm
Длина
5mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

Datasheet IRF7420TRPBF
IRF7420TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet IRF7420TRPBF