CM400DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 400A 5 поколение NF серия

Фото 1/2 CM400DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 400A 5 поколение NF серия
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
21 680 руб.
от 3 шт.21 330 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 21 680 руб.
Номенклатурный номер: 8436944628
Артикул: CM400DY-12NF
Бренд: Mitsubishi

Описание

Силовые IGBTи SiC модули
IGBT модули серии NF представляют 5-ое поколение модулей Mitsubishi. Они предназначены для высоковольтной коммутации в составе силовых приводов асинхронных двигателей и высокочастотных преобразователей. Применяемые для их создания усовершенствованные технологии позволяют получить низкие напряжения насыщения и высокую скорость переключения, необходимые для функционирования на частотах до 20 кГц. 5-ое поколение модулей представляет синтез двух передовых технологий: технологии изготовления кристалла CSTBT и LPT пластины. Отличительные особенности NF-модулей: - повышенная стойкость к короткому замыканию, - малая емкость затвора, - низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, - стандартный корпус (аналог популярной H-серии), - устойчивость к коротким замыканиям, - улучшенная теплопроводность подложки из AlN, - внутренняя индуктивность снижена в два раза по сравнению с H-серией. Область применения: - Инверторы - Системы вторичного электропитания - Производство электроэнергии; ветро и солнечные электростанции. - Электросварочное оборудование - Системы электроприводов

Технические параметры

Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 200
Входная емкость затвора,нФ 60
Драйвер управления VLA503
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Защита по току нет
Макс.напр.к-э,В 600
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 1130
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 6
Максимальный ток эмиттера, А 800
Напряжение изоляции, В 2500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1.7
Напряжение эмиттер-коллектор,В 1.7
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 400
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Вес, г 466

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «IGBT модули»