CM400DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 400A 5 поколение NF серия

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию

18 890 руб.
14 120 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 14 120 руб.
Номенклатурный номер: 8436944628
Артикул: CM400DY-12NF
Страна происхождения: ЯПОНИЯ
Бренд / Производитель: Mitsubishi
Описание
IGBT модули
IGBT модули серии NF представляют 5-ое поколение модулей Mitsubishi. Они предназначены для высоковольтной коммутации в составе силовых приводов асинхронных двигателей и высокочастотных преобразователей. Применяемые для их создания усовершенствованные технологии позволяют получить низкие напряжения насыщения и высокую скорость переключения, необходимые для функционирования на частотах до 20 кГц.5-ое поколение модулей представляет синтез двух передовых технологий: технологии изготовления кристалла CSTBT и LPT пластины.
Отличительные особенности NF-модулей:
- повышенная стойкость к короткому замыканию,
- малая емкость затвора,
- низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер,
- стандартный корпус (аналог популярной H-серии),
- устойчивость к коротким замыканиям,
- улучшенная теплопроводность подложки из AlN,
- внутренняя индуктивность снижена в два раза по сравнению с H-серией.
Область применения:
- Инверторы
- Системы вторичного электропитания
- Производство электроэнергии; ветро и солнечные электростанции.
- Электросварочное оборудование
- Системы электроприводов
Технические параметры
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 200 |
Входная емкость затвора,нФ | 60 |
Драйвер управления | VLA503 |
Защита от короткого замыкания | нет |
Защита от перегрева | нет |
Защита от пониженного напряжения питания | нет |
Защита по току | нет |
Макс.напр.к-э,В | 600 |
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1130 |
Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
Максимальный ток эмиттера, А | 800 |
Напряжение изоляции, В | 2500 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1.7 |
Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1.7 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
Структура модуля | полумост |
Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
Техническая документация
Mitsubishi Power Devices General Catalog
pdf, 1982 КБ