BC858ALT1G, Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 руб.
Мин. кол-во для заказа 12000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
от 18000 шт. —
3.30 руб.
Добавить в корзину 12000 шт.
на сумму 48 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 30В, 0,1А, 300мВт, SOT23 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | PNP |
Технические параметры
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
PCB changed | 3 |
Package Height | 0.94 |
Mounting | Surface Mount |
Lead Shape | Gull-wing |
Package Width | 1.3 |
Package Length | 2.9 |
Type | PNP |
Product Category | Bipolar Small Signal |
Material | Si |
Configuration | Single |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 30 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 30 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA |
Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA |
Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 15 |
Minimum DC Current Gain | 125@2mA@5V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 100(Min) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | No |
Supplier Package | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Standard Package Name | SOT |
Military | No |
Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.94 mm |
Длина | 2.9 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 125 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.65 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | BC858AL |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.3 mm |
Brand | ON Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | -80 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -65 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.65 V |
Continuous Collector Current | -0.1 A |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 125 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Gain Bandwidth Product FT | 100 MHz |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | 0.1 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation | 225 mW |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
Series | BC858AL |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | PNP |
Maximum Collector Base Voltage | -30 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | -30 V |
Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
Maximum Power Dissipation | 225 mW |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | SOT-23 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | PNP |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов