STD18N55M5, Транзистор полевой N-канальный 550В 13А 90Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
69 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
550 руб.
от 12 шт. —
450 руб.
от 24 шт. —
420 руб.
от 48 шт. —
412 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 550 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 550В 13А 90Вт
Технические параметры
Корпус | dpak | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 16A(Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 550V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
FET Feature | - | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1260pF @ 100V | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Operating Temperature | 150В°C(TJ) | |
Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 | |
Packaging | Tape & Reel(TR) | |
Part Status | Active | |
Power Dissipation (Max) | 110W(Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 192 mOhm @ 8A, 10V | |
Series | MDmeshв(ў V | |
Supplier Device Package | DPAK | |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±25V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1540 КБ
Datasheet ...18N55M5
pdf, 1247 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Видео
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.